V
DRM
V
帝斯曼
I
T（ AV ）M
I
T（ RMS ）
I
TSM
V
(T0)
r
T
=
=
=
=
=
=
=
5600
6500
1370
2160
21.9×10
3
1.18
0.632
V
V
A
A
A
V
mΩ
相位控制晶闸管
5STP 12K6500
文档。第5SYA1069-01 5月4日
•
•
•
•
•
专利自由浮动的硅技术
低通态损耗和开关损耗
专为牵引，能源和工业应用
最佳的功率处理能力
叉指放大门
闭塞
最大额定值
1)
符号
V
帝斯曼，
V
RSM
V
DRM ，
V
RRM
dv / dt的
CRIT
参数
条件
F = 5赫兹，T
p
= 10毫秒
F = 50 Hz时，T
p
= 10毫秒
进出口。到3750 V，T
vj
= 125°C
符号条件
I
帝斯曼
I
RSM
5STP 12K6500 5STP 12K6200
6500 V
5600 V
6200 V
5300 V
2000 V / μs的
民
典型值
5STP 12K5800
5800 V
4900 V
特征值
最大
600
600
单位
mA
mA
正向漏电流
反向漏电流
V
帝斯曼
, T
vj
= 125°C
V
RSM
, T
vj
= 125°C
V
DRM
/ V
RRM
等于V
帝斯曼
/ V
RSM
值高达至T
vj
= 110°C
机械数据
最大额定值
1)
参数
安装力
促进
促进
特征值
符号条件
F
M
a
a
夹紧装置
夹紧装置
民
45
典型值
50
最大
60
50
100
单位
kN
M / S
M / S
单位
kg
mm
mm
mm
2
2
参数
重量
外壳厚度
表面爬电距离
符号条件
m
H
D
S
F
M
= 50千牛，T
a
= 25 °C
民
典型值
最大
1.15
45
空袭距离
D
a
24
1 ）最大额定值的界限，表明损坏设备可能会发生
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
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