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    5SNE0800M1701 参数 Datasheet PDF下载

    5SNE0800M1701图片预览
    型号： 5SNE0800M1701
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： IGBT模块 [IGBT Module]
    分类和应用： 双极性晶体管
    文件页数/大小： 9 页 / 208 K
    品牌： ABB [ THE ABB GROUP ]
     浏览型号5SNE0800M1701的Datasheet PDF文件第1页浏览型号5SNE0800M1701的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5SNE0800M1701的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5SNE0800M1701的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5SNE0800M1701的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5SNE0800M1701的Datasheet PDF文件第7页浏览型号5SNE0800M1701的Datasheet PDF文件第8页浏览型号5SNE0800M1701的Datasheet PDF文件第9页  
    5SNE 0800M170100
    IGBT特征值
    参数
    收集器（发射极）
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    4)
    饱和电压
    集电极截止电流
    栅极漏电流
    栅极 - 发射极阈值电压
    栅极电荷
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    3)
    符号
    V
    （ BR ） CES
    V
    CE坐
    I
    CES
    I
    GES
    V
    GE （ TO ）
    Q
    ge
    C
    IES
    C
    OES
    C
    水库
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    条件
    V
    GE
    = 0 V，I
    C
    = 10毫安，T
    vj
    = 25 °C
    I
    C
    = 800 A，V
    GE
    = 15 V
    V
    CE
    = 1700 V, V
    GE
    = 0 V
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    民
    1700
    2.0
    2.3
    典型值
    最大
    单位
    V
    2.3
    2.6
    2.6
    2.9
    4
    40
    V
    V
    mA
    mA
    nA
    V
    µC
    V
    CE
    = 0 V, V
    GE
    =
    ±20
    V，T
    vj
    = 125 °C
    I
    C
    = 80 mA时， V
    CE
    = V
    GE
    , T
    vj
    = 25 °C
    I
    C
    = 800 A，V
    CE
    = 900 V,
    V
    GE
    = -15 V .. 15 V
    V
    CE
    = 25 V, V
    GE
    = 0 V ， F = 1MHz时，
    T
    vj
    = 25 °C
    V
    CC
    = 900 V,
    I
    C
    = 800 A,
    R
    G
    = 1.2
    Ω,
    V
    GE
    =
    ±15
    V,
    L
    σ
    = 80 nH的，感性负载
    V
    CC
    = 900 V,
    I
    C
    = 800 A,
    R
    G
    = 1.8
    Ω,
    V
    GE
    =
    ±15
    V,
    L
    σ
    = 80 nH的，感性负载
    V
    CC
    = 900 V，I
    C
    = 800 A,
    V
    GE
    = ± 15 V ，R
    G
    = 1.2
    Ω,
    L
    σ
    = 80 nH的，感性负载
    V
    CC
    = 900 V，I
    C
    = 800 A,
    V
    GE
    = ± 15 V ，R
    G
    = 1.8
    Ω,
    L
    σ
    = 80 nH的，感性负载
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    -500
    4.5
    7.3
    76
    7.3
    3.2
    485
    485
    165
    170
    790
    875
    160
    185
    160
    500
    6.5
    nF
    ns
    ns
    ns
    ns
    导通开关能量
    E
    on
    mJ
    250
    220
    mJ
    300
    3600
    24
    A
    nH
    mΩ
    关断开关能量
    短路电流
    模块的杂散电感
    性，终端芯片
    3)
    4)
    E
    关闭
    I
    SC
    L
    σ
    CE
    R
    CC' + EE '
    t
    PSC
    ≤
    10
    μs,
    V
    GE
    = 15 V ，T
    vj
    = 125 °C,
    V
    CC
    = 1200 V, V
    CEM CHIP
    ≤
    1700 V
    LEG 1
    LEG 1
    T
    C
    = 25 °C
    T
    C
    = 125 °C
    0.18
    0.255
    9 - 根据IEC 60747的特征值
    集电极 - 发射极饱和电压给定的芯片级
    ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
    文档。第5SYA1590-00 10月6日
    第2 9

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