5SNA 0800N330100
1500
V
CC
= 1800 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 2.2欧姆
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 100 nH的
E
REC
Q
rr
1200
1250
1000
R
G
= 2.2欧姆
E
REC
[兆焦耳] ，我
rr
[A] ，Q
rr
[µC]
E
REC
[兆焦耳] ，我
rr
[A] ，Q
rr
[µC]
1000
I
rr
750
800
Q
rr
600
R
G
= 5.6欧姆
R
G
= 3.3欧姆
E
REC
400
R
G
= 15欧姆
R
G
= 8.2欧姆
500
I
rr
250
E
REC
[兆焦耳= -600 ×10
-6
X我
F2
+ 1.72 ×1
F
+ 190
200
0
0
400
800
I
F
[A]
1200
1600
0
0
R
G
= 22欧姆
V
CC
= 1800 V
I
F
= 800 A
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 100 nH的
2
3
4
1
di / dt的[千安/微秒
图。 12
典型的反向恢复特性
VS正向电流
图。 13
典型的反向恢复特性
VS的di / dt
1600
1400
25°C
1200
125°C
1000
I
F
[A]
800
600
400
I
R
[A]
2000
V
CC
≤
2500 V
的di / dt
≤
5000 A / μs的
T
vj
= 125 °C
1600
1200
800
400
200
0
0
1
2
V
F
[V]
3
4
0
0
500
1000 1500 2000 2500
V
R
[V]
3000 3500
图。 14
典型的二极管正向特性，
芯片级
图。 15
安全工作区二极管（ SOA ）
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA 1591年至1500年1月07日
第8 9
R
G
= 2.7欧姆
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