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    5SMX12H1273 参数 Datasheet PDF下载

    5SMX12H1273图片预览
    型号： 5SMX12H1273
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： IGBT -模具 [IGBT-Die]
    分类和应用： 双极性晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 68 K
    品牌： ABB [ THE ABB GROUP ]
     浏览型号5SMX12H1273的Datasheet PDF文件第1页浏览型号5SMX12H1273的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5SMX12H1273的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5SMX12H1273的Datasheet PDF文件第5页  
    5SMX 12H1273
    IGBT特征值
    参数
    收集器（发射极）
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    集电极截止电流
    栅极漏电流
    栅极 - 发射极阈值电压
    栅极电荷
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    内部栅极电阻
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    2)
    符号条件
    V
    （ BR ） CES
    V
    CE坐
    I
    CES
    I
    GES
    V
    GE （ TO ）
    Q
    ge
    C
    IES
    C
    OES
    C
    水库
    R
    GINT
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    CC
    = 600 V，I
    C
    = 50 A,
    R
    G
    = 15
    Ω,
    V
    GE
    =
    ±15
    V,
    L
    σ
    = 60 nH的，
    感性负载
    V
    CC
    = 600 V，I
    C
    = 50 A,
    R
    G
    = 22
    Ω,
    V
    GE
    =
    ±15
    V,
    L
    σ
    = 60 nH的，
    感性负载
    V
    CC
    = 600 V，I
    C
    = 50 A,
    V
    GE
    = ± 15 V ，R
    G
    = 15
    Ω,
    L
    σ
    = 60 nH的，
    感性负载，
    FWD ： 5SLX12E1200
    V
    CC
    = 600 V，I
    C
    = 50 A,
    V
    GE
    = ± 15 V ，R
    G
    = 22
    Ω,
    L
    σ
    = 60 nH的，
    感性负载
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    V
    GE
    = 0 V，I
    C
    = 1毫安，T
    vj
    = 25 °C
    I
    C
    = 50 A，V
    GE
    = 15 V
    V
    CE
    = 1200 V, V
    GE
    = 0 V
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    民
    1200
    1.7
    典型值
    最大
    单位
    V
    1.9
    2.1
    2.3
    100
    V
    V
    µA
    µA
    nA
    V
    nC
    nF
    Ω
    ns
    ns
    ns
    ns
    200
    -200
    4.5
    470
    4.72
    0.29
    0.19
    5
    170
    195
    60
    65
    410
    470
    45
    70
    4.1
    200
    6.5
    V
    CE
    = 0 V, V
    GE
    =
    ±20
    V，T
    vj
    = 125 °C
    I
    C
    = 2毫安， V
    CE
    = V
    GE
    , T
    vj
    = 25 °C
    I
    C
    = 50 A，V
    CE
    = 600 V, V
    GE
    = -15 ..15 V
    V
    CE
    = 25 V, V
    GE
    = 0 V ， F = 1MHz时，
    T
    vj
    = 25 °C
    导通开关能量
    E
    on
    mJ
    6.3
    2.9
    mJ
    4.7
    290
    A
    关断开关能量
    E
    关闭
    短路电流
    2)
    I
    SC
    t
    PSC
    ≤
    10
    μs,
    V
    GE
    = 15 V ，T
    vj
    = 125 °C,
    V
    CC
    = 900 V, V
    CEM
    ≤
    1200 V
    9 - 根据IEC 60747的特征值
    ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
    文档。第5SYA 1641年至1600年4月7日
    页2的5

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