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5SHX10H6010 参数 Datasheet PDF下载

5SHX10H6010图片预览
型号: 5SHX10H6010
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内容描述: 反向开展集成门极换流晶闸管 [Reverse Conducting Integrated Gate-Commutated Thyristor]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 279 K
品牌: ABB [ THE ABB GROUP ]
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5SHX 10H6010
GCT数据
导通状态
(参照图3至6, 23)
最大额定值
注1
参数
马克斯。平均通态
当前
马克斯。 RMS通态电流
马克斯。峰值不重复
浪涌通态电流
极限载荷积分
马克斯。峰值不重复
浪涌通态电流
极限载荷积分
的导通临界上升率
目前状态
特征值
符号条件
I
T( AV )M
半正弦波,T
C
= 85 °C,
双侧冷却
I
T( RMS )
I
TSM
I
2
t
I
TSM
I
2
t
di
T
/ DT
cr
对于高迪
T
/ dt和电流下
超过50 A的外部再触发脉冲
是必须的。
t
p
= 1毫秒,T
j
= 115℃ ,正弦波
后激增: V
D
= V
R
= 0 V
t
p
= 10毫秒,T
j
= 115℃ ,正弦波
后激增: V
D
= V
R
= 0 V
典型值
最大
350
560
7.5×10
3
单位
A
A
A
A
2
s
A
A
2
s
A / μs的
281×10
15×10
3
3
112×10
待定
3
参数
通态电压
阈值电压
斜率电阻
符号条件
V
T
I
T
= 900 A,T
j
= 115 °C
V
(T0)
r
T
T
j
= 115 °C
I
T
= 200...2000 A
典型值
最大
3.45
1.65
2
单位
V
V
mΩ
导通开关
最大额定值
注1
(参照图23 ,25)
符号条件
di
T
/ DT
cr
F = 500赫兹,T
j
= 115 °C,
I
T
= 900 A,V
D
= 3300 V
符号条件
V
D
= 3300 V,T
j
= 115 °C
t
DON
I
T
= 900 A, di / dt的= V
D
/ L
i
t
唐SF
L
i
= 11.5 µH
C
CL
= 2 μF ,L
CL
= 0.6 µH
t
r
E
on
典型值
最大
285
单位
A / μs的
参数
的导通临界上升率
目前状态
特征值
参数
导通延迟时间
导通延迟时间状态
反馈
上升时间
开启每个脉冲能量
典型值
最大
3
7
1
0.5
单位
µs
µs
µs
J
关断开关
(参照图7,8 ,23, 25)的
最大额定值
注1
参数
马克斯。可控关断
当前
马克斯。可控关断
当前
特征值
符号条件
I
TGQM
V
DM
V
DRM ,
T
j
= 115 °C,
V
D
= 3300 V ,R
S
= 1.25
Ω,
C
CL
= 2 μF ,L
CL
0.6 µH
I
TGQM
V
DM
V
DRM ,
T
j
= 115 °C,
V
D
= 3900 V ,R
S
= 1.25
Ω,
C
CL
= 2 μF ,L
CL
0.6 µH
典型值
最大
900
单位
A
460
A
参数
打开-O FF延迟时间
关断延迟时间状态
反馈
关断能源每脉冲
符号条件
V
D
= 3300 V,T
j
= 115 °C
t
DOFF
V
DM
V
DRM
, R
S
= 1.25
t
脱SF
I
TGQ
= 900 A,L
i
= 11.5 µH
C
CL
= 2 μF ,L
CL
= 0.6 µH,
E
关闭
典型值
最大
6
7
4.8
单位
µs
µs
J
ABB瑞士公司,半导体公司保留更改产品规格,恕不另行通知。
文档。第5SYA1226-05 8月07
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