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    5SGA40L4501 参数 Datasheet PDF下载

    5SGA40L4501图片预览
    型号： 5SGA40L4501
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 不对称的门关断晶闸管 [Asymmetric Gate turn-off Thyristor]
    分类和应用： 栅
    文件页数/大小： 9 页 / 244 K
    品牌： ABB [ THE ABB GROUP ]
     浏览型号5SGA40L4501的Datasheet PDF文件第1页浏览型号5SGA40L4501的Datasheet PDF文件第2页浏览型号5SGA40L4501的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5SGA40L4501的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5SGA40L4501的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5SGA40L4501的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5SGA40L4501的Datasheet PDF文件第8页浏览型号5SGA40L4501的Datasheet PDF文件第9页  
    5SGA 40L4501
    E
    关闭
    [J]
    18
    16
    14
    12
    10
    8
    6
    Q
    GQA
    4
    2
    0
    0
    500
    1000
    1500
    2000
    2500
    3000
    3500
    �½ V
    DRM
    4000
    2000
    0
    条件：
    V
    D
    = �½⋅V
    DRM
    di
    GQ
    / DT = 40 A /
    µ
    s
    C
    S
    = 6
    µF,
    R
    S
    = 5
    Ω
    T
    j
    = 125°C
    Q
    GQA
    [A]
    18000
    16000
    E
    关闭
    [J]
    14
    12
    10
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    500
    1000
    1500
    2000
    2500
    3000
    3500
    4000
    I
    TGQ
    [A]
    条件：
    V
    D
    = �½ V
    DRM
    , V
    DM
    = V
    DRM
    di
    GQ
    / DT = 40 A / μs的
    R
    S
    = 5
    Ω
    T
    j
    = 125 °C
    V
    DM
    = V
    DRM
    14000
    12000
    10000
    C
    S
    = 6
    µ
    F
    ¾ V
    DRM
    8000
    6000
    4000
    I
    TGQ
    [A]
    图。 12
    关断能量的每脉冲与关断电流
    和峰值关断电压，提取栅
    充电与关断电流
    C
    s
    [
    µ
    F]
    6
    条件：
    V
    D
    = �½
    ⋅
    V
    DRM
    , V
    DM
    = V
    DRM
    di
    GQ
    / DT = 40 A /
    µ
    s
    R
    S
    = 5
    Ω
    ， LS
    ≤
    300 nH的
    图。 13
    关断能量的每脉冲与关断电流
    和缓冲电容
    E
    关闭
    [J ] ，T
    s
    [
    µ
    s]
    22
    20
    18
    16
    14
    12
    55
    50
    45
    40
    35
    30
    25
    20
    15
    10
    5
    0
    -10 0
    条件：
    V = �½ V
    DRM
    , V
    DM
    = V
    DRM
    D
    I
    GQ
    = 4000 A ，二
    Q
    / DT = 40 A /
    µ
    s
    T
    G
    TJ = 125°C
    I
    GQM
    [A]
    1100
    I
    GQM
    1000
    900
    800
    700
    E
    关闭
    600
    500
    5
    4
    3
    10
    8
    6
    t
    S
    400
    300
    200
    100
    2
    4
    2
    1
    1000
    1500
    2000
    2500
    3000
    3500
    4000
    I
    GQM
    [A]
    0
    10
    20
    25
    30
    40 50
    60
    70
    75
    80
    0
    90
    100
    110 120
    125
    T
    j
    [°C]
    图。 14
    需要缓冲电容与最大
    许关断电流
    图。 15
    关断的每脉冲能量，存储时间和
    峰值关断栅极电流与结
    温度
    I
    GQM
    [A]
    t
    s
    [s]
    60
    55
    50
    45
    40
    35
    30
    25
    20
    15
    10
    5
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    条件：
    I
    TGQ
    = 3000 A
    T
    j
    = 125 °C
    t
    s
    [s]
    60
    I
    GQM
    [A]
    1200
    I
    GQM
    1200
    1000
    50
    I
    GQM
    1000
    800
    40
    800
    t
    S
    600
    30
    t
    S
    600
    400
    20
    条件：
    di
    GQ
    / DT = 40 A / μs的
    T
    j
    = 125 °C
    400
    200
    10
    200
    0
    60
    di
    GQ
    / DT [A / μs的]
    0
    0
    500
    1000
    1500
    2000
    2500
    3000
    3500
    0
    4000
    I
    TGQ
    [A]
    图。 16
    存储时间和峰的关断栅极电流
    与NEG 。门极电流上升率
    图。 17
    存储时间和峰的关断栅极电流
    与关断电流
    ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
    文档。第5SYA1208-02 05年3月
    第7页共9

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