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    5SGA20H2501 参数 Datasheet PDF下载

    5SGA20H2501图片预览
    型号： 5SGA20H2501
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 栅极关断晶闸管 [Gate turn-off Thyristor]
    分类和应用： 栅极
    文件页数/大小： 9 页 / 312 K
    品牌： ABB [ THE ABB GROUP ]
     浏览型号5SGA20H2501的Datasheet PDF文件第1页浏览型号5SGA20H2501的Datasheet PDF文件第2页浏览型号5SGA20H2501的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5SGA20H2501的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5SGA20H2501的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5SGA20H2501的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5SGA20H2501的Datasheet PDF文件第8页浏览型号5SGA20H2501的Datasheet PDF文件第9页  
    5SGA 20H2501
    6.0
    5.0
    4.0
    3.0
    2.0
    1.0
    0.0
    0
    500
    1000
    1500
    E
    关闭
    [J]
    条件：
    V
    D
    = 0.5
    ×
    V
    DM
    di
    GQ
    / DT = 30 A /
    m
    s
    C
    S
    = 4
    m
    F，R
    S
    = 5
    W
    T
    j
    = 125°C
    5SGA 20H2501
    Q
    GQA
    [
    m
    C]
    7000
    6000
    4.0
    3.5
    E
    关闭
    [J]
    条件：
    V
    D
    = 0.75 V
    DM
    , V
    DM
    = V
    DRM
    di
    GQ
    / DT = 30 A /
    m
    s
    R
    S
    = 5
    W
    T
    j
    = 125°C
    5SGA 20H2501
    C
    S
    = 4
    mF
    Q
    GQA
    3.0
    5000
    4000
    3000
    2000
    1000
    2000
    2.5
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    0.0
    V
    DM
    =V
    DRM
    0.75 V
    DRM
    0.5 V
    DRM
    C
    S
    = 3
    m
    F
    C
    S
    = 6
    m
    F
    I
    TGQ
    [A]
    0
    500
    1000
    1500
    I
    TGQ
    [A]
    2000
    图。 12
    关断能量的每脉冲与关断电流
    和峰值关断电压。提取门
    充电与关断电流。
    图。 13
    关断能源每脉冲与关断
    当前和缓冲电容。
    E
    关闭
    [J ]吨
    s
    [
    m
    s]
    5 50
    I
    GQM
    [A]
    1000
    5SGA 20H2501
    4
    40
    800
    I
    GQM
    3
    30
    E
    关闭
    600
    2
    20
    t
    S
    条件：
    V
    D
    = 0.5 V
    DM
    , V
    DM
    = V
    DRM
    I
    TGQ
    = 2000 ，二
    GQ
    / DT = 30 A /
    m
    s
    C
    S
    = 4
    m
    F，R
    S
    = 5
    W
    ， TJ = 125°C
    400
    1
    10
    200
    0
    -10
    0
    0
    10 20
    25
    30
    40
    50
    60
    70
    75
    80
    0
    90 100 110 120
    125
    T
    j
    [°C]
    图。 14
    需要缓冲电容与最大
    许关断电流。
    t
    s
    [s]
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    I
    GQM
    [A]
    图。 15
    关断能量每脉冲，储存时间
    和峰值关断栅极电流与结
    温度
    1000
    800
    600
    400
    t
    s
    [s]
    50
    40
    30
    I
    GQM
    20
    10
    0
    0
    500
    1000
    1500
    I
    TGQ
    [A]
    条件：
    di
    GQ
    / DT = 30 A /
    m
    s
    T
    j
    = 125 °C
    5SGA 20H2501
    5SGA 20H2501
    I
    GQM
    [A]
    1000
    800
    600
    400
    200
    0
    2000
    t
    S
    I
    GQM
    条件：
    I
    TGQ
    = 2000 A
    T
    j
    = 125 °C
    200
    0
    t
    S
    di
    GQ
    / DT [A / MS ]
    图。 16
    存储时间和峰的关断栅极电流
    与NEG 。门极电流上升率。
    图。 17
    存储时间和峰值关断栅极
    电流与关断电流
    ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
    文档。第5SYA1205-01 6月4日
    第7页共9

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