先进的模拟技术公司
AAT8636系列
手术
1. COM1 （过充电检测）
COM1为在V的电压的监视器
DD
引脚。 COM1检测过充电状态，如果这种状态持续
比延迟时间较长（叔
C1
） ，当在V的电压
DD
超过过充电检测电压V
C1
。在这种条件下，
C
OUT
针下降到一个较低的水平，从而关闭外部充电控制N沟道MOSFET 。内部电平转换器是
在C中的缓冲器驱动器并入
OUT
销到驱动器C的水平低
OUT
为等于该VN端子电压。此外，
C的高层次
OUT
被设定为等于V
DD
.
过充电延迟时间t
C1
的过度充电是通过外部电容器C确定
3
连接在GND和间
C
EXT
引脚。的延迟时间t
C1
可估计如下：
C
3
x
(
V
DD
−
0.7
)
0.48 x 10
−
6
t
C1
=
然而，如果在过充电状态的持续时间不是足够长，以覆盖所述时间延迟窗口，C
OUT
不会改变到
低电平，并且充电过程将继续。
2.需要的条件，从过充电复位COM1
后在MOSFET中，电荷控制，关闭时， COM1可以在两种情况下被复位。由于重置COM1means ç
OUT
返回到高电平再次与充电路径被重新连接到重新开始充电过程中，其中的一个条件来复位器COM1
是当
V
DD
属于比“V降低
C1
−
V
HYS
“作为电池内部放电的结果。断开从电池组
该充电器还可以重置COM1即使
V
DD
仍然滞后窗口内（Ⅴ
C1
−
V
HYS
≤
V
DD
＆ LT ;
V
C1
).
后的电池组与充电器断开，连接的系统负载到电池组允许电流流
通过外部充电控制MOSFET的寄生二极管。该放电电流会带来V
DD
下来，并最终
一旦
V
DD
低于V
C1
, C
OUT
将变为高电平
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V 1.0
AAT [ ADVANCED ANALOG TECHNOLOGY, INC. ]
