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AAT4250图片预览
型号: AAT4250
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内容描述: 压摆率受控负载开关 [Slew Rate Controlled Load Switch]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 13 页 / 185 K
品牌: AAT [ ADVANCED ANALOG TECHNOLOGY, INC. ]
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AAT4250
压摆率受控负载开关
功能框图
IN
压摆率
控制
OUT
理解
电压
封锁
水平
开/关
GND
功能说明
该AAT4250是一个压摆率控制的P沟道
专为高端负载MOSFET功率开关
开关应用。它工作的输入电压
年龄范围从1.8V至5.5V哪些,连同其
极低的工作电流,使其非常适用于
电池供电的应用。中的情况下
输入电压低于1.8V时, ​​AAT4250 MOSFET导
场效应管进入饱和区域的保护
操作的自动关闭。在
此外, TTL兼容的ON / OFF端子品牌
在AAT4250的理想水平位移负荷开关。该
压摆率控制功能可以消除浪涌电流
当MOSFET导通租,允许
可以用小的输入电容器中使用AAT4250 ,或
没有输入电容的。在回转时,电流
斜直线,直到达到所需的水平
输出负载条件。专用控制
方法通过仔细控制和监测
MOSFET的栅极电压。当该装置是
切换到ON时,栅极电压迅速升高
在MOSFET的阈值电平。一旦在这
电平,则电流开始杀作为栅极电压
缓慢地增加,直到在MOSFET变得充分
增强。一旦达到这一点,在栅极
迅速上升到全输入电压和
R
DS ( ON)
被最小化。
8
应用信息
输入电容
一个1μF或更大的电容,通常推荐
对于C
IN
在大多数应用中。 A C
IN
电容不
所需的基本操作;但是,它是在有用
防止负载瞬变的影响,从上游
电路。 ç
IN
应位于尽可能靠近
装置V
IN
引脚的实际可能。陶瓷,
钽或铝电解电容器可
可以选择对C
IN
。没有具体的电容器
对于等效串联电阻(ESR )的要求
C
IN
。然而,对于更高的电流操作, ceram-
IC电容建议对C
IN
由于它们的
在钽电容器可承受的固有能力
站的输入电流浪涌从低阻抗
源,如电池的便携式设备。
输出电容
对于正确的转换操作,一个0.1μF的电容或
需要V之间更大
OUT
和GND 。
同样,与所述输出电容器,不存在spe-
cific电容的ESR的要求。如果需要的话,C
OUT
可以无限制地增加,以适应
没有任何不利的负载瞬态条件
影响的压摆率。
4250.2006.03.1.3