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AP4232BGM-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP4232BGM-HF图片预览
型号: AP4232BGM-HF
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内容描述: 更低的栅极电荷,简单的驱动要求 [Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement]
分类和应用: 晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管驱动
文件页数/大小: 4 页 / 99 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP4232BGM-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
低栅极电荷
简单的驱动要求
快速开关特性
无卤& RoHS标准的产品
双N沟道增强
MODE POWER MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
D2
D2
30V
22mΩ
7.6A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,超低导通电阻和
成本效益。
D1
D1
G2
S2
SO-8
G1
S1
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
+20
7.6
6
30
2
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
200908031