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AP4224GM 参数 Datasheet PDF下载

AP4224GM图片预览
型号: AP4224GM
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 97 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP4224GM
180
140
150
T
A
= 25
o
C
10V
7.0V
I
D
,漏电流( A)
120
T
A
= 150
o
C
10V
7.0V
I
D
,漏电流( A)
100
120
80
90
5.0V
60
5.0V
60
4.5V
40
4.5V
30
20
V
G
= 3 .0V
V
G
= 3 .0V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
20
1.8
18
I
D
=7A
T
A
=25
归一化ř
DS ( ON)
1.6
I
D
=1 0 A
V
G
=10V
16
1.4
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
14
1.2
12
1.0
10
0.8
8
0.6
3
5
7
9
11
-50
0
50
100
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温(
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
3.0
10
8
2.5
6
V
GS ( TH)
(V)
I
S
(A)
2.0
4
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
1.5
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.0
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4