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AP4226GM-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP4226GM-HF图片预览
型号: AP4226GM-HF
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内容描述: 低导通电阻,简单的驱动要求 [Low On-Resistance, Simple Drive Requirement]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管驱动
文件页数/大小: 4 页 / 67 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP4226GM-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
低导通电阻
简单的驱动要求
双N MOSFET封装
符合RoHS
SO-8
G1
S1
D2
D1
D1
G2
S2
D2
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
30V
18mΩ
8.2A
描述
D1
D2
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,超低导通电阻和
成本效益。
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
30
± 20
8.2
6.7
30
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
200806092