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AP4224LGM-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP4224LGM-HF图片预览
型号: AP4224LGM-HF
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内容描述: 低导通电阻,精干2.5V栅极驱动 [Low On-Resistance, Capable of 2.5V Gate Drive]
分类和应用: 栅极栅极驱动
文件页数/大小: 2 页 / 80 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
 浏览型号AP4224LGM-HF的Datasheet PDF文件第2页  
AP4224LGM-HF
初步
先进的电源
电子股份有限公司
低导通电阻
能够2.5V栅极驱动
双N MOSFET封装
符合RoHS &无卤
D2
D1
D1
D2
双N沟道增强
MODE POWER MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
G2
S2
20V
14mΩ
10A
I
D
SO-8
S1
G1
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供设计师
与快速切换的最佳组合,坚固耐用的设备
设计,超低导通电阻和成本效益。
在SO -8封装,广泛首选商业,工业
表面贴装应用,并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
G1
S1
D1
D2
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
+12
10
8
30
2
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
62.5
单位
℃/W
1
20110810pre
数据和规格如有变更,恕不另行通知