AP40P03GP 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP40P03GP
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内容描述：	更低的栅极电荷简单驱动要求 [Lower Gate Charge Simple Drive Requirement]
分类和应用：	晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲驱动局域网
文件页数/大小：	5 页 / 123 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP40P03GP

符合RoHS标准的产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅极电荷

▼

简单的驱动要求

▼

快速开关特性

P沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

-30V

28mΩ

-30A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师

快速切换的最佳组合，

坚固耐用的设备设计，低

导通电阻和成本效益。

在TO- 220封装普遍首选的所有commercial-

工业通孔的应用和适合于低电压

应用程序。

TO-220(P)

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

-30

±20

-30

-18

-120

31.3

0.25

-55到150

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

价值

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200731072-1/4

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