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AP40G120W 参数 Datasheet PDF下载

AP40G120W图片预览
型号: AP40G120W
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内容描述: N沟道绝缘栅双极晶体管 [N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 99 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP40G120W
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
特点
先进的IGBT技术
低饱和电压
V
CE ( SAT )
=3.15V@I
C
=40A
工业标准TO- 3P封装
N沟道绝缘栅
双极晶体管
C
V
CES
I
C
1200V
40A
C
G
G
C
E
TO-3P
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C
@T
C
=25℃
I
C
@T
C
=100℃
I
CM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
T
L
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
1
参数
集电极 - 发射极电压
等级
1200
+20
80
40
160
208
-55到150
-55到150
300
单位
V
V
A
A
A
W
最大功率耗散
存储温度范围
工作结温范围
最大的铅温度。焊接用
, 8"分之1的情况下,持续10秒。
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大值。结温。
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
o
价值
0.6
40
单位
℃/W
℃/W
电气特性@ T
j
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
I
GES
I
CES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
C
OES
C
水库
参数
门极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GE
=0V
V
CE
=30V
f=1.0MHz
测试条件
V
GE
=+20V, V
CE
=0V
V
CE
=1200V, V
GE
=0V
V
GE
= 15V ,我
C
=40A
V
GE
= 15V ,我
C
=50A
V
CE
=V
GE
, I
C
=250uA
I
C
=40A
V
CC
=500V
V
GE
=15V
V
CC
=600V,
I
c
=40A,
V
GE
=15V,
R
G
=5Ω,
感性负载
分钟。
-
-
-
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
3.15
3.2
-
160
25
90
35
30
150
260
1.7
3
3030
205
15
马克斯。
+100
500
3.4
3.71
7
260
-
-
-
-
-
520
-
-
4800
-
-
单位
nA
uA
V
V
V
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
pF
pF
pF
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
201104072