AP4002P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP4002P
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	6 页 / 189 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP4002S/P

符合RoHS标准的产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

100％的雪崩测试

▼

快速开关特性

▼

简单的驱动要求

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

600V

5Ω

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师

快速切换的最佳组合，

坚固耐用的设备设计，低

导通电阻和成本效益。

在TO- 263封装

广泛

首选商业，工业

表面贴装应用，并适用于电源

applications.The

通孔

版本（ AP4002P ）可用于

低调的申请。

克ð

TO-263(S)

TO-220(P)

绝对最大额定值

符号

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

等级

600

±30

0.16

单位

W/℃

℃

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

存储温度范围

工作结温范围

-55到150

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

最大

热阻，结案件

最大

热阻，结到环境

价值

6.25

单位

℃/W

数据&规格如有变更，恕不另行通知

201019072-1/4

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案