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AP3990S-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP3990S-HF图片预览
型号: AP3990S-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 63 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP3990S-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
100%的雪崩测试
快速开关特性
简单的驱动要求
符合RoHS &无卤
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
600V
0.6Ω
10A
S
描述
AP3990系列是专为用于主开关器件
万向90 〜265VAC离线AC / DC转换应用程序。
在TO- 263封装,广泛首选商业,工业表面
安装的应用程序,并适用于低电压应用,如直流/直流
转换器。
G
D
S
TO-263(S)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
600
+ 30
10
6.5
40
174
单位
V
V
A
A
A
W
W
mJ
A
总功耗
总功耗
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
4
2
3.13
50
10
-55到150
-55到150
单脉冲雪崩能量
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境(印刷电路板安装)
4
价值
0.72
40
单位
℃/W
℃/W
1
201202081
数据&规格如有变更,恕不另行通知