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AP3402GEH 参数 Datasheet PDF下载

AP3402GEH图片预览
型号: AP3402GEH
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 4 页 / 63 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP3402GEH/J
f=1.0MHz
14
10000
V
GS
,门源电压( V)
12
I
D
=25A
V
DS
=15V
V
DS
=20V
V
DS
=25V
10
C( pF)的
8
1000
C
国际空间站
6
4
2
C
OSS
C
RSS
100
0
5
10
15
20
0
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
100
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
0.2
100us
I
D
(A)
10
0.1
0.1
0.05
1
T
C
=25
o
C
单脉冲
0
1ms
10ms
100ms
1s
DC
P
DM
0.02
t
T
0.01
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
0.1
1
10
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
50
V
DS
=5V
40
V
G
Q
G
I
D
,漏电流( A)
30
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
4.5V
Q
GS
Q
GD
20
10
收费
0
Q
0
2
4
6
8
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4/4