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AP3310H 参数 Datasheet PDF下载

AP3310H图片预览
型号: AP3310H
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内容描述: P沟道增强模式 [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 84 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP3310H/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
分钟。典型值。马克斯。单位
-20
-
-
-
-0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.1
-
-
V
V/℃
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ,我
D
=-1mA
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-2.8A
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-2.0A
-
-
-
4.4
-
-
-
6
1.5
0.6
25
60
70
60
300
180
60
150
250
-
-
-1
-25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
S
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -5V ,我
D
=-2.8A
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
GS
=
± 12V
I
D
=-2.8A
V
DS
=-6V
V
GS
=-5V
V
DS
=-6V
I
D
=-1A
R
G
=6Ω,V
GS
=-5V
R
D
=6Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-6V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
±100
nA
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流(体二极管)
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=-1.2V
T
j
=25℃, I
S
= -10A ,V
GS
=0V
分钟。典型值。马克斯。单位
-
-
-
-
-
-
-10
-24
-1.2
A
A
V
脉冲源电流(体二极管)
1
正向电压上
2
注意事项:
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。