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AP3310GJ-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP3310GJ-HF图片预览
型号: AP3310GJ-HF
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内容描述: 简单的驱动要求,简单的驱动要求 [Simple Drive Requirement, Simple Drive Requirement]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲驱动
文件页数/大小: 6 页 / 111 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP3310GH/J-HF
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
2.5V栅极驱动能力
快速开关特性
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-20V
150mΩ
-10A
描述
来自APEC高级功率MOSFET为设计者提供了最好的
组合快速切换的,低导通电阻和成本效益。
G
D
S
TO-252(H)
这个装置是适用于低电压和电池功率应用。
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
- 20
+12
-10
-6.2
-24
25
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境(印刷电路板安装)
3
价值
5.0
62.5
110
单位
℃/W
℃/W
℃/W
最大热阻,结到环境
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
200902096