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AP3303J 参数 Datasheet PDF下载

AP3303J图片预览
型号: AP3303J
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 74 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP3303H/J
90
80
80
T
c
=25
o
C
10V
70
T
c
=150
o
C
10V
9.0V
50
70
9.0V
I
D
,漏电流( A)
60
I
D
,漏电流( A)
60
8.0V
50
40
40
8.0V
7.0V
7.0V
30
30
20
20
V
G
=5.0V
10
10
V
G
=5.0V
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
8
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
50
1.8
I
D
=8A
T
C
=25 C
40
o
1.6
I
D
=8A
V
G
=10V
归一化ř
DS ( ON)
1.4
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
30
1.2
1.0
20
0.8
10
5
6
7
8
9
10
11
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
5
100
4.5
10
4
1
V
GS ( TH)
(V)
1.2
I
S
(A)
3.5
T
j
=150 C
0.1
o
T
j
=25 C
o
3
2.5
0.01
0
0.4
0.8
2
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温(
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温