AP30T10GM-HF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP30T10GM-HF
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 58 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP30T10GM-HF

无卤素产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

低栅极电荷

▼

快速开关特性

▼

无卤&符合RoHS

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

100V

55mΩ

4.5A

SO-8

描述

AP30T10系列从高级电源创新的设计和

硅制程技术，以实现尽可能低的导通

电阻和快速开关的性能。它提供设计师

以在宽范围功率的极端有效的装置，用于使用

应用程序。

在SO -8封装，广泛首选的所有商业，工业

表面贴装采用红外回流焊技术的应用和

适用于电压转换开关或应用程序。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

等级

100

+20

4.5

3.6

2.5

-55到150

单位

℃

漏电流脉冲

总功耗

存储温度范围

工作结温范围

热数据

符号

Rthj -A

参数

最大热阻，结到环境

价值

单位

℃/W

201304251

数据和规格如有变更，恕不另行通知

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