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AP30P10GP-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP30P10GP-HF图片预览
型号: AP30P10GP-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 99 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP30P10GP-HF
80
60
T
C
= 25 C
o
-I
D
,漏电流( A)
60
-I
D
,漏电流( A)
-10V
- 7 .0V
- 6 .0V
- 5.0 V
T
C
=150
o
C
50
-10V
-7.0V
-6.0V
-5.0V
V
G
= -4.0V
40
40
V
G
= - 4 .0 V
30
20
20
10
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
80
2.0
76
I
D
= -8 A
T
C
=25
归一化ř
DS ( ON)
2
4
6
8
10
1.6
I
D
= - 12 A
V
G
= -10V
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
72
1.2
68
0.8
64
60
0.4
-50
0
50
100
150
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.4
25
1.2
20
归-V
GS ( TH)
(V)
1.0
-I
S
(A)
15
T
j
=150
o
C
10
T
j
=25
o
C
0.8
0.6
5
0.4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.2
-50
0
50
100
150
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3