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AP30G120W 参数 Datasheet PDF下载

AP30G120W图片预览
型号: AP30G120W
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内容描述: N沟道绝缘栅双极晶体管 [N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 77 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP30G120W
1000
1
V
GE
=15V
T
C
=125
o
C
I
C
,峰值集电极电流(A )
100
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P
DM
0.02
10
t
T
0.01
安全工作区
1
1
10
100
1000
10000
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
CE,
集电极 - 发射极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图7.关断SOA
图8.有效的瞬态热
阻抗
20
20
T
C
=25 C
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
15
o
10
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
I
C
= 60 A
30 A
15 A
T
C
=150 C
15
o
I
C
= 60 A
30 A
15 A
10
5
5
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
V
GE
,栅极 - 发射极电压( V)
V
GE
,栅极 - 发射极电压( V)
图9.饱和电压与V
GE
图10.饱和电压与V
GE
250
20
200
V
GE
,门发射极电压( V)
16
功耗( W)
I
C
= 3 0A
V
CC
=200V
V
CC
=300V
V
CC
=500V
150
12
100
8
50
4
0
0
50
100
150
200
0
0
20
40
60
80
结温(
)
Q
G
,栅极电荷( NC)
Fig11 。功耗与结
温度
图12.栅极电荷特性研究
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