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AP30G120CSW-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP30G120CSW-HF图片预览
型号: AP30G120CSW-HF
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内容描述: 与FRD N沟道绝缘栅双极晶体管 [N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 104 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP30G120CSW-HF
160
120
T
C
=25 C
I
C
,集电极电流( A)
120
o
20V
18V
15V
I
C
,集电极电流( A)
100
T
C
=150 C
o
20V
18V
15V
80
12V
60
80
12V
40
V
GE
=10V
40
V
GE
=10V
20
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
120
6
V
GE
=15V
100
V
GE
= 15 V
V
CE (SAT) ,
饱和电压(V )
5
I
C ,
集电极电流( A)
80
T
C
=25
60
I
C
= 60 A
4
T
C
=150
I
C
=30A
3
40
2
20
0
0
2
4
6
8
10
1
0
40
80
120
160
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
结温( C)
o
图3.典型的饱和电压
特征
2
2400
图4.典型的集电极 - 发射极电压
V.S.结温
f=1.0MHz
I
C
=1mA
2000
1.6
归V
GE (日)
(V)
电容(pF)
1600
1.2
C
IES
1200
0.8
800
0.4
400
0
-50
0
50
100
150
0
1
5
9
13
17
21
25
29
C
OES
C
水库
33
37
结温(
o
C )
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图5.栅极阈值电压
图6.典型的电容特性研究
V.S.结温
2