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AP30G120ASW 参数 Datasheet PDF下载

AP30G120ASW图片预览
型号: AP30G120ASW
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内容描述: N沟道绝缘栅双极晶体管与FRD 。 [N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 103 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP30G120ASW
1000
1
V
GE
=15V
T
C
=125
o
C
I
C
,峰值集电极电流(A )
100
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P
DM
0.02
10
t
T
0.01
安全工作区
1
1
10
100
1000
10000
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
CE,
集电极 - 发射极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图7.关断SOA
图8.有效的瞬态热
阻抗
10
10
T
C
=25 C
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
8
8
o
T
C
=150 C
o
6
6
I
C
= 60 A
4
4
I
C
= 60 A
I
C
= 30 A
I
C
= 30 A
2
2
I
C
= 15 A
I
C
= 15 A
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
V
GE
,栅极 - 发射极电压( V)
V
GE
,栅极 - 发射极电压( V)
图9.饱和电压与V
GE
图10.饱和电压与V
GE
100
16
V
GE
,门发射极电压( V)
I
C
= 30 A
V
CC
=500V
12
I
F
,正向电流( A)
10
T
j
=150 C
o
T
j
=25 C
o
8
1
4
0.1
0
1
2
3
4
0
0
20
40
60
80
V
F
,正向电压( V)
Q
G
,栅极电荷( NC)
Fig11 。的正向特性
图12.栅极电荷特性研究
二极管
3