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AP30G100W 参数 Datasheet PDF下载

AP30G100W图片预览
型号: AP30G100W
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内容描述: N沟道绝缘栅双极晶体管 [N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 220 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP30G100W
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
特点
N沟道绝缘栅
双极晶体管
V
CES
高速开关
低饱和电压
V
CE ( SAT )
=3.0V@I
C
=30A
工业标准TO- 3P封装
符合RoHS
1000V
30A
C
I
C
G
C
E
TO-3P
G
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C
@T
C
=25℃
I
C
@T
C
=100℃
I
CM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
T
L
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
1
参数
集电极 - 发射极电压
等级
1000
±30
60
30
120
208
-55到150
-55到150
300
单位
V
V
A
A
A
W
最大功率耗散
存储温度范围
工作结温范围
最大的铅温度。焊接用
, 8"分之1案件从5秒。
注意事项:
1.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最大值。结温。
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
价值
0.6
40
单位
℃/W
℃/W
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
CES
I
GES
I
CES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
C
OES
C
水库
参数
收集到发射极击穿电压
门极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GE
=0V
V
CE
=30V
f=1.0MHz
测试条件
V
GE
= 0V时,我
C
=250uA
V
GE
=±30V, V
CE
=0V
V
CE
=1000V, V
GE
=0V
V
GE
= 15V ,我
C
=30A
V
GE
= 15V ,我
C
=60A
V
CE
=V
GE
, I
C
=1mA
I
C
=30A
V
CC
=500V
V
GE
=15V
V
CC
=500V,
I
c
=30A,
V
GE
=15V,
R
G
=5Ω,
感性负载
分钟。
1000
-
-
-
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
3
3.8
4.4
55
12
27
30
40
105
290
1.2
1.7
1320
105
9
马克斯。
-
±500
1
3.6
-
7
88
-
-
-
-
-
440
-
-
2110
-
-
单位
V
nA
mA
V
V
V
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
pF
pF
pF
数据和规格如有变更,恕不另行通知
200828071-1/3