AP2R803GM-HF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP2R803GM-HF
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内容描述：	低导通电阻，简单的驱动要求 [Lower On-resistance, Simple Drive Requirement]
分类和应用：	驱动
文件页数/大小：	4 页 / 118 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP2R803GM-HF

无卤素产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

导通电阻的降低

▼

简单的驱动要求

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

30V

3.2mΩ

22.8A

▼

快速开关特性

▼

符合RoHS &无卤

SO-8

描述

AP2R803系列从高级电源创新的设计和硅

工艺技术，实现最低的导通电阻和快速

开关性能。它为设计者提供了一个极端的高效率

装置，用于在一个宽范围的功率应用中使用。

在SO -8封装，广泛首选的所有商业工业表面

采用红外回流焊技术，适用于电压安装应用程序

转换或转换申请。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

, V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

存储温度范围

工作结温范围

等级

+12

22.8

18.3

2.5

-55到150

单位

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

最大热阻，结到环境

价值

单位

℃/W

201212111

数据和规格如有变更，恕不另行通知

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