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AP2R803GH-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP2R803GH-HF图片预览
型号: AP2R803GH-HF
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内容描述: 低导通电阻,简单的驱动要求 [Low On-resistance, Simple Drive Requirement]
分类和应用: 驱动
文件页数/大小: 4 页 / 98 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2R803GH-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
低导通电阻
简单的驱动要求
快速开关特性
符合RoHS &无卤
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
30V
2.8mΩ
75A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供了设计者
快速开关,坚固耐用的设备设计,低的最佳组合
导通
性和成本效益。
在TO- 252封装,广泛首选商业,工业
表面安装的应用和适合于低电压应用,例如
作为DC / DC变换器。
G
D
S
TO-252(H)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
4
连续漏电流
4
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
+20
75
75
300
104
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境(印刷电路板安装)
3
价值
1.2
62.5
单位
℃/W
℃/W
1
201202153
数据&规格如有变更,恕不另行通知