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AP2763I-A 参数 Datasheet PDF下载

AP2763I-A图片预览
型号: AP2763I-A
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 5 页 / 136 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2763I-A
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
隔离完整的软件包
快速开关特性
G
S
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
750V
1.45Ω
8.0A
描述
AP2763系列是专为用于主开关器件
万向90 〜265VAC离线AC / DC转换应用程序。
TO- 220CFM型提供高阻断电压,以克服电压浪涌
G
和凹陷在最艰难的电力系统的快速的最佳组合
D
S
开关,加固设计和成本效益。
TO-220CFM(I)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
750
±30
8.0
5.0
30
50
0.4
2
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
32
8.0
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境
价值
2.5
65
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更,恕不另行通知
1
200810233