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AP2762I-H-HF 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AP2762I-H-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 57 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2762I-H-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
100%的雪崩测试
快速开关特性
简单的驱动要求
符合RoHS &无卤
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
700V
1.45Ω
7A
S
描述
AP2762系列是专为用于主开关器件
万向90 〜265VAC离线AC / DC转换应用程序。它提供高
阻断电压克服浪涌电压暂降和在最恶劣的力量
系统具有快速开关的设计和成本的最佳组合
有效性。
在TO- 220CFM包广首选的所有商业,工业
通孔应用。模具化合物提供了一种高隔离
电压能力和标签与之间的低热阻
外部散热器。
G
D
S
TO-220CFM(I)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
700
+30
7
24
33
18
6
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
W
mJ
A
总功耗
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境
价值
3.8
65
单位
℃/W
℃/W
1
201305282
数据&规格如有变更,恕不另行通知