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AP2761I-A 参数 Datasheet PDF下载

AP2761I-A图片预览
型号: AP2761I-A
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 62 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2761I-A
14
8
12
T
C
=25 C
I
D
,漏电流( A)
10
o
10V
6.0V
I
D
,漏电流( A)
T
C
=150
o
C
6
10V
5.0V
8
4.5V
4
6
5.0V
4
2
V
G
=4.0V
2
V
G
=4.0V
0
0
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
2.8
2.4
I
D
=5A
V
G
=10V
归BV
DSS
(V)
1.1
归一化ř
DS ( ON)
2
1.6
1
1.2
0.8
0.9
0.4
0.8
-50
0
50
100
150
0
-50
0
50
100
150
T
j
,结温( C)
o
T
j
,结温(
o
C )
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
100
5
图4.归一导通电阻
V.S.结温
4
10
I
S
(A)
1
V
GS ( TH)
(V)
T
j
= 150
o
C
T
j
= 25
o
C
3
2
0.1
1
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
0
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温(
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4