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    AP26G40GEO-HF 参数 Datasheet PDF下载

    AP26G40GEO-HF图片预览
    型号： AP26G40GEO-HF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道绝缘栅双极晶体管 [N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管双极性晶体管栅
    文件页数/大小： 3 页 / 61 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP26G40GEO-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP26G40GEO-HF的Datasheet PDF文件第3页  
    AP26G40GEO-HF
    无卤素产品
    先进的电源
    电子股份有限公司
    ▼
    I
    CP
    = 150A @V
    GE
    =3.0V
    ▼
    低栅极驱动器
    C
    C
    C
    N沟道绝缘栅
    双极晶体管
    V
    CE
    I
    CP
    G
    C
    400V
    150A
    C
    G
    E
    ▼
    频闪闪光灯应用
    ▼
    符合RoHS &无卤
    TSSOP-8
    E
    E
    E
    绝对最大额定值
    符号
    V
    CE
    V
    GEP
    I
    CP
    P
    D
    @T
    A
    =25
    o
    C
    1
    T
    英镑
    T
    J
    参数
    集电极 - 发射极电压
    峰栅极 - 发射极电压
    集电极电流脉冲，V
    GE
    @ 3.0V
    最大功率耗散
    存储温度范围
    结温范围
    等级
    400
    +6
    150
    1
    -55到150
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    W
    o
    o
    C
    C
    o
    电气特性@ T
    j
    = 25 ℃（除非另有规定）
    符号
    I
    GES
    I
    CES
    V
    CE （ SAT ）
    V
    GE （日）
    Q
    g
    Q
    ge
    Q
    gc
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    IES
    C
    OES
    C
    水库
    RTH
    JA1
    参数
    栅极 - 发射极漏电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    测试条件
    V
    GE
    =+ 6V, V
    CE
    =0V
    V
    GE
    = 3V ，我
    CP
    = 150A （脉冲）
    分钟。
    -
    -
    -
    0.3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    4.5
    -
    86
    5.4
    29
    900
    1.6
    170
    2.3
    5170
    45
    27
    -
    马克斯。
    +10
    10
    9
    1.2
    138
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    8270
    -
    -
    125
    单位
    uA
    uA
    V
    V
    nC
    nC
    nC
    ns
    µs
    ns
    µs
    pF
    pF
    pF
    o
    集电极 - 发射极漏电流V
    CE
    =400V, V
    GE
    =0V
    栅极阈值电压
    总栅极电荷
    栅极 - 射极电荷
    栅极电荷收集
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    V
    CE
    =V
    GE
    , I
    C
    =250uA
    I
    C
    =40A
    V
    CE
    =200V
    V
    GE
    =4V
    V
    CC
    =320V
    I
    C
    =150A
    R
    G
    =10Ω
    V
    GE
    =3V
    V
    GE
    =0V
    V
    CE
    =30V
    f=1.0MHz
    热阻结到环境
    C / W
    注意事项：
    1.Surface安装1 FR4板， T = 10秒的铜垫。
    数据和规格如有变更，恕不另行通知
    1
    200908141
    2

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