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    AP2625GY 参数 Datasheet PDF下载

    AP2625GY图片预览
    型号： AP2625GY
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 5 页 / 96 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP2625GY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP2625GY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP2625GY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AP2625GY的Datasheet PDF文件第5页  
    AP2625GY
    符合RoHS标准的产品
    先进的电源
    电子股份有限公司
    ▼
    低栅电荷
    ▼
    低栅极驱动器
    ▼
    表面贴装封装
    G1
    S1
    G2
    D1
    P沟道增强模式
    功率MOSFET
    D2
    BV
    DSS
    R
    DS （ ON）
    I
    D
    -30V
    185mΩ
    - 2A
    S2
    描述
    D2
    先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
    以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和
    成本效益的设备。
    采用SOT- 26包被广泛用于商业，工业
    应用程序。
    S1
    D1
    G2
    S2
    G1
    SOT-26
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    @T
    A
    =25℃
    I
    D
    @T
    A
    =70℃
    I
    DM
    P
    D
    @T
    A
    =25℃
    T
    英镑
    T
    J
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流
    3
    连续漏电流
    3
    漏电流脉冲
    1
    总功耗
    线性降额因子
    存储温度范围
    工作结温范围
    等级
    -30
    ±12
    -2.0
    -1.6
    -20
    1.2
    0.01
    -55到150
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    W/℃
    ℃
    ℃
    热数据
    符号
    Rthj -A
    参数
    最大热阻，结到环境
    3
    价值
    110
    单位
    ℃/W
    数据和规格如有变更，恕不另行通知
    201023073-1/4

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