欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AP2604GY 参数 Datasheet PDF下载

AP2604GY图片预览
型号: AP2604GY
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 62 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
 浏览型号AP2604GY的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP2604GY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP2604GY的Datasheet PDF文件第4页  
AP2604GY
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
-
-
7
-
-
-
6
2
3
6
8
15
4
440
105
35
MAX 。单位
-
-
45
65
3
-
1
25
±100
10
-
-
-
-
-
-
705
-
-
V
V/℃
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ,我
D
=4.8A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=2.4A
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=4.8A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V ,V
GS
=0V
V
GS
= ±20V
I
D
=4.8A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= 4.8A ,V
GS
=0V
I
S
= 4.8A ,V
GS
=0V,
dI/dt=100A/µs
分钟。
-
-
-
典型值。
-
15
7
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当156 ℃ / W 。铜垫。
2/4