AP2608GY 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP2608GY
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 64 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP2608GY

符合RoHS标准的产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

快速开关特性

▼

低栅极电荷

▼

小尺寸&薄型封装

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

150V

2.6Ω

0.57A

SOT-26

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

该S0T -26包被广泛用于商业，工业表面

安装应用程序。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

, V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

150

+20

0.57

0.45

0.016

-55到150

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

最大热阻，结到环境

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

201005033

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