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AP2608AGY-HF 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AP2608AGY-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 63 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2608AGY-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
快速开关特性
低栅极电荷
小尺寸&薄型封装
无卤& RoHS标准的产品
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
150V
1.5Ω
0.78A
S
D
S
描述
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
以实现尽可能低的导通电阻,非常有效和
成本效益的设备。
该S0T -26包被广泛用于商业,工业表面
安装应用程序。
D
G
D
SOT-26
D
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
150
+20
0.78
0.62
3
2
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
201105201