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AP25N10GH-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP25N10GH-HF图片预览
型号: AP25N10GH-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 4 页 / 106 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP25N10GH/J-HF
f=1.0MHz
14
10000
I
D
= 16 A
12
V
GS
,门源电压( V)
10
V
DS
= 64 V
V
DS
= 80 V
V
DS
= 100 V
C( pF)的
1000
C
国际空间站
C
OSS
8
100
6
4
10
C
RSS
2
0
0
4
8
12
16
20
24
1
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
100us
10
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
0.2
1ms
I
D
(A)
10ms
100ms
1s
DC
T
C
=25 C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.1
0.05
P
DM
0.02
1
t
T
0.01
o
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
25
V
DS
=5V
20
T
j
=25 C
o
T
j
=150 C
o
V
G
Q
G
10V
I
D
,漏电流( A)
15
Q
GS
10
Q
GD
5
收费
0
Q
0
2
4
6
8
10
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4