AP2530GY-HF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP2530GY-HF
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	低栅极电荷，低导通电阻 [Low Gate Charge, Low On-resistance]
分类和应用：	栅极
文件页数/大小：	7 页 / 91 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP2530GY-HF

无卤素产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

低导通电阻

▼

表面贴装封装

▼

符合RoHS &无卤

SOT-26

N型和P沟道增强

MODE POWER MOSFET

N-CH BV

DSS

DS （ ON）

30V

72mΩ

3.3A

-30V

150mΩ

-2.3A

P- CH BV

DSS

DS （ ON）

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工

技术，以实现尽可能低的导通电阻，极

效率和成本效益的设备。

采用SOT- 26包被广泛用于商业，工业

应用程序。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

N沟道

+20

3.3

2.6

1.14

0.01

-55到150

P沟道

-30

+20

-2.3

-1.8

-10

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

最大热阻，结到环境

价值

110

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

201003263

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案