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AP2426GEY-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP2426GEY-HF图片预览
型号: AP2426GEY-HF
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内容描述: 能够2.5V栅极驱动,低导通电阻 [Capable of 2.5V Gate Drive, Lower on-resistance]
分类和应用: 栅极栅极驱动
文件页数/大小: 4 页 / 105 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2426GEY-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
能够2.5V栅极驱动
导通电阻的降低
表面贴装封装
符合RoHS &无卤
2928-8
D1/D2
双N沟道增强
MODE POWER MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
G2
S2
G1
S1
20V
26.5mΩ
6A
I
D
描述
先进的功率MOSFET采用先进的加工
技术,以实现尽可能低的导通电阻,极
效率和成本效益的设备。
该2928-8 J形引脚封装提供了良好的
性能和节省空间像的TSOP -6。
导通电阻
G1
D1
G2
D2
S1
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
+10
6
4.8
36
1.39
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
90
单位
℃/W
1
201201202
数据和规格如有变更,恕不另行通知