AP2330GN-HF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP2330GN-HF
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 98 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP2330GN-HF

无卤素产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

封装尺寸小

▼

表面安装器件

▼

符合RoHS &无卤

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

90V

240mΩ

1.7A

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

采用SOT -23封装，广泛用于所有的商业，工业

应用程序。

SOT-23

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

, V

@ 10V

连续漏电流

, V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

存储温度范围

工作结温范围

等级

+20

1.7

1.3

1.38

-55到150

单位

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

最大热阻，结到环境

价值

单位

℃/W

200912082

数据和规格如有变更，恕不另行通知

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