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AP2318GEN 参数 Datasheet PDF下载

AP2318GEN图片预览
型号: AP2318GEN
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 74 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2318GEN
f=1.0MHz
12
100
I
D
=1A
V
GS
,门源电压( V)
V
DS
=15V
V
DS
=20V
V
DS
=25V
9
C( pF)的
6
C
国际空间站
3
C
OSS
C
RSS
0
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
10
1
归热响应(R
thJA
)
占空比系数= 0.5
1
0.2
I
D
(A)
10ms
0.1
0.1
P
DM
t
0.05
100ms
0.1
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 270
/W
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
o
1s
DC
100
0.01
单脉冲
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
2.0
V
DS
=5V
1.5
V
G
Q
G
4.5V
I
D
,漏电流( A)
T
j
=25 C
1.0
o
T
j
=150 C
o
Q
GS
Q
GD
0.5
收费
0.0
Q
0
2
4
6
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图11.传输特性
图12.栅极电荷电路
4/4