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AP2311GN 参数 Datasheet PDF下载

AP2311GN图片预览
型号: AP2311GN
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内容描述: P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 74 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2311GN
10
10
T
A
=25
o
C
-I
D
,漏电流( A)
7.5
5
V
G
= - 3 .0V
-I
D
,漏电流( A)
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
T
A
= 150 C
8
o
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
5
V
G
= - 3 .0V
2.5
3
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
7
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
250
2.0
I
D
=-1.4A
240
T
A
=25
o
C
1.6
I
D
=-1.8A
V
G
=-10V
230
归一化ř
DS ( ON)
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
1.2
220
0.8
210
200
2
4
6
8
10
0.4
-50
0
50
100
150
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.5
2.0
-I
S
(A)
T
j
=150
o
C
1.0
T
j
=25
o
C
归-V
GS ( TH)
(V)
1.2
1.4
1.5
1.3
1.0
0.5
0.8
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.5
-50
0
50
100
150
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
图6.栅极阈值电压V.S.
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