AP2309GN 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP2309GN
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 73 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP2309GN

f=1.0MHz

1000

-V

，门源电压（ V）

= -3A

= -24V

国际空间站

C（ pF）的

100

OSS

RSS

，总栅极电荷（ NC）

-V

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

占空比系数= 0.5

归热响应（R

thJA

)

0.2

0.1

-I

(A)

0.05

1ms

0.01

单脉冲

10ms

0.1

0.01

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

= P

个R

thJA

+ T

thJA

= 270℃/W

℃

=25

单脉冲

0.01

0.1

100ms

100

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

-V

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

90%

-4.5V

10%

D（上）

D（关闭）

收费

图11.开关时间电路

图12.栅极电荷电路

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