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AP2302GN 参数 Datasheet PDF下载

AP2302GN图片预览
型号: AP2302GN
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 72 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2308GEN
4.5
3.5
4.0
T
A
= 25
o
C
5.0V
4.5V
I
D
,漏电流( A)
3.0
T
A
=150 C
o
5.0V
4.5V
I
D
,漏电流( A)
3.5
2.5
3.0
3.5V
2.5
2.0
3.5V
2.0
1.5
1.5
2.5V
2.5V
1.0
1.0
0.5
0.5
V
G
= 1 .5V
0.0
1.0
2.0
3.0
V
G
= 1 .5V
0.0
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
700
1.6
I
D
=0.5A
T
A
=25
o
C
600
1.4
I
D
=1.2A
V
G
=4.5V
归一化ř
DS ( ON)
R
DSON
(m
Ω
)
1.2
500
1.0
400
0.8
300
1
2
3
4
5
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温(
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.0
1.0
0.8
归V
GS ( TH)
(V)
1.2
1.5
0.6
I
S
(A)
1.0
0.4
T
j
=150
o
C
0.2
T
j
=25
o
C
0.5
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.0
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温(
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温