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AP2306GN 参数 Datasheet PDF下载

AP2306GN图片预览
型号: AP2306GN
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 76 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2306GN
80
50
T
A
=25 C
60
o
5.0V
4.5V
4.0V
I
D
,漏电流( A)
V
G
=2.5V
T
A
=150 C
40
o
5.0V
4.5V
30
I
D
,漏电流( A)
4.0V
20
40
20
V
G
=2.5V
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
100
1.8
I
D
=5.3A
T
A
=25 C
80
o
1.6
I
D
=5.3A
V
G
=4.5V
归一化ř
DS ( ON)
1.4
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
60
1.2
1.0
40
0.8
20
1
3
5
7
9
11
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.6
100
1.4
10
1.2
T
j
=150 C
I
S
(A)
1
o
T
j
=25 C
V
GS ( TH)
(V)
1
o
0.8
0.6
0.1
0.4
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.2
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温(
o
C )
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温