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AP2305AN 参数 Datasheet PDF下载

AP2305AN图片预览
型号: AP2305AN
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内容描述: P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 74 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2305AN
40
36
T
A
=25
o
C
-5.0V
-I
D
,漏电流( A)
30
32
T
A
=150
o
C
-5.0V
-4.0V
28
-I
D
,漏电流( A)
-4.0V
24
65mΩ
-3.0V
20
20
-3.0V
16
12
10
V
G
= -2.0V
8
V
G
= -2.0V
4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
0
1
2
3
4
5
6
7
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
300
1.8
I
D
= -1.0A
T
A
=25
o
C
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
200
1.6
I
D
= -3.0A
V
GS
= -4.5V
归一化ř
DS ( ON)
0
2
4
6
8
10
12
1.4
1.2
100
1
0.8
0
0.6
-50
0
50
100
150
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.5
100
10
1
1
-V
GS ( TH)
(V)
0.5
0
-50
T
j
=150 C
-I
S
(A)
o
T
j
=25 C
o
0.1
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0
50
100
150
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温(
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温