AP2302N-HF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP2302N-HF
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 92 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP2302N-HF

无卤素产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

能够2.5V栅极驱动

▼

低栅极电荷

▼

表面贴装封装

▼

符合RoHS &无卤

SOT-23S

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

20V

64mΩ

3.2A

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

采用SOT - 23S封装，广泛首选商业，工业

表面安装的应用程序和适用于低电压的应用，如

DC / DC转换器。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

, V

@ 4.5V

连续漏电流

, V

@ 4.5V

漏电流脉冲

总功耗

存储温度范围

工作结温范围

等级

+12

3.2

2.6

-55到150

单位

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

最大热阻，结到环境

价值

125

单位

℃/W

201112091

数据和规格如有变更，恕不另行通知

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