AP20T15GM-HF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP20T15GM-HF
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 54 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP20T15GM-HF

2800

f=1.0MHz

=4A

=120V

，门源电压（ V）

2400

2000

C（ pF）的

国际空间站

1600

1200

800

400

OSS

RSS

101

151

201

，总栅极电荷（ NC）

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

归热响应（R

thJA

)

占空比系数= 0.5

在这一领域

限于由R

DS （ ON）

0.2

(A)

10us

100us

0.1

0.05

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

= P

个R

thJA

+ T

Rthja = 125 ℃ / W

℃

0.1

0.01

=25

单脉冲

0.1

100

1ms

10ms

100ms

1000

0.02

0.01

单脉冲

0.001

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

，漏电流（ A）

4.5V

收费

100

125

150

，环境温度（ ℃）

图11.漏极电流V.S.环境

温度

图12.栅极电荷波形

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