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AP20T15GH-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP20T15GH-HF图片预览
型号: AP20T15GH-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 93 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP20T15GH-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
导通电阻的降低
快速开关特性
无卤& RoHS标准的产品
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
150V
70mΩ
22.2A
S
描述
AP20T15系列从高级电源创新的设计和硅
工艺技术,实现最低的导通电阻和快速
开关性能。它为设计者提供了一个极端的高效率
装置,用于在一个宽范围的功率应用中使用。
在TO- 252封装,广泛首选的所有商业工业表面
采用红外回流焊技术,适用于高安装应用程序
当前的应用程序由于低的连接电阻。
G
D
S
TO-252(H)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
总功耗
3
存储温度范围
工作结温范围
等级
150
+20
22.2
14
60
89.2
2
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境(印刷电路板安装)
3
价值
1.4
62.5
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
201303122